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FDD86252

Name: onsemi FDD86252
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86252
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

512-FDD86252

N° de fab. :

FDD86252

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 150 N-CH PwrTrench MOSFET

Fiche technique:

FDD86252 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,81 €	1,81 €
	0,989 €	9,89 €
	0,703 €	70,30 €
	0,593 €	296,50 €
	0,552 €	552,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,552 €	1 380,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.1 V
Qg - Charge de grille:	11.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.1 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.8 ns
Série:	FDD86252
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

FDD86252 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

MOSFETs PowerTrench®

Fairchild propose le plus large éventail de MOSFET PowerTrench® du secteur. Choisissez parmi de multiples technologies le bon MOSFET pour votre application. Fairchild propose des versions à canal N et P de ses MOSFET grâce à son procédé PowerTrench® de pointe, optimisé pour une solidité et des performances de commutation à faible R_DS(on). Ces MOSFET PowerTrench® sont proposés avec différents paramètres pour respecter les besoins de la plupart des applications, comme les commutateurs de charge, la commutation primaire, le traitement mobile, les convertisseurs CC-CC, les redresseurs synchrones et beaucoup d'autres.
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