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FDMC86116LZ

Name: onsemi FDMC86116LZ
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86116LZ
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

512-FDMC86116LZ

N° de fab. :

FDMC86116LZ

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET

Fiche technique:

FDMC86116LZ Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,955 €	9,55 €
	0,638 €	63,80 €
	0,502 €	251,00 €
	0,458 €	458,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,391 €	1 173,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-33-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	3.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	103 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	19 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDMC86116LZ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	180 mg

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Fiche technique

FDMC86116LZ Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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