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FDMC8884

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N° Mouser :

512-FDMC8884

N° de fab. :

FDMC8884

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 30V N-Channel Power Trench

Cycle de vie:

Obsolète

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-33-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Qg - Charge de grille:	5 nC, 10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.3 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	2 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2 ns
Série:	FDMC8884
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Poids de l''unité:	200 mg

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PCN

Material Composition Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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