FDP33N25

onsemi
512-FDP33N25
FDP33N25

Fab. :

Description :
MOSFET 250V N-Channel MOSFET

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 870

Stock:
1 870 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,68 € 2,68 €
1,50 € 15,00 €
1,20 € 120,00 €
0,998 € 499,00 €
0,929 € 929,00 €
0,869 € 2 172,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
250 V
33 A
94 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
235 W
Enhancement
Tube
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 120 ns
Transconductance directe - min.: 26.6 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 230 ns
Série: FDP33N25
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 75 ns
Délai d'activation standard: 35 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
République tchèque
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.