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FDP4D5N10C

Name: onsemi FDP4D5N10C
Brand: onsemi
SKU: 863-FDP4D5N10C
Price: 4.81 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FDP4D5N10C

N° de fab. :

FDP4D5N10C

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm

Fiche technique:

FDP4D5N10C Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	128 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	68 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	134 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	49 ns
Série:	FDP4D5N10C
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	41 ns
Délai d'activation standard:	29 ns
Poids de l''unité:	2 g