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FDS6680

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N° Mouser :

512-FDS6680

N° de fab. :

FDS6680

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SO-8 N-CH 30V

Cycle de vie:

Obsolète

Modèle de ECAO:

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Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

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Remplacement possible

Fab. :

onsemi

N° de fab. :

FDS6680A

Description :

MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V

Cycle de vie:

NRND: Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	11.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	40 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	FDS6680
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	FDS6680_NL
Poids de l''unité:	130 mg