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FDT86106LZ

Name: onsemi FDT86106LZ
Brand: onsemi
SKU: 512-FDT86106LZ
Price: 1.87 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

512-FDT86106LZ

N° de fab. :

FDT86106LZ

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Fiche technique:

FDT86106LZ Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,87 €	1,87 €
	1,20 €	12,00 €
	0,806 €	80,60 €
	0,641 €	320,50 €
	0,587 €	587,00 €
	0,564 €	1 128,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0,526 €	2 104,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-223-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	3.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	108 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.2 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Transconductance directe - min.:	8 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDT86106LZ
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	112 mg

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Fiche technique

FDT86106LZ Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

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Fairchild propose le plus large éventail de MOSFET PowerTrench® du secteur. Choisissez parmi de multiples technologies le bon MOSFET pour votre application. Fairchild propose des versions à canal N et P de ses MOSFET grâce à son procédé PowerTrench® de pointe, optimisé pour une solidité et des performances de commutation à faible R_DS(on). Ces MOSFET PowerTrench® sont proposés avec différents paramètres pour respecter les besoins de la plupart des applications, comme les commutateurs de charge, la commutation primaire, le traitement mobile, les convertisseurs CC-CC, les redresseurs synchrones et beaucoup d'autres.
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