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FQAF13N80

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N° Mouser :

512-FQAF13N80

N° de fab. :

FQAF13N80

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 800V N-Channel QFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

FQAF13N80 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3PF-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	750 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	88 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	120 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	QFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	110 ns
Transconductance directe - min.:	10.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	150 ns
Série:	FQAF13N80
Nombre de pièces de l'usine:	360
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	155 ns
Délai d'activation standard:	60 ns
Raccourcis pour l'article N°:	FQAF13N80_NL
Poids de l''unité:	7 g