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FQH8N100C

Name: onsemi FQH8N100C
Brand: onsemi
SKU: 512-FQH8N100C
Price: 5.07 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FQH8N100C

N° de fab. :

FQH8N100C

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 1000V N-Channel

Fiche technique:

FQH8N100C Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	2,99 €	29,90 €
	2,49 €	298,80 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.45 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	70 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	225 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	QFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CZ
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	80 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	95 ns
Série:	FQH8N100C
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	122 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	6 g