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FQPF5N60C

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N° Mouser :

512-FQPF5N60C

N° de fab. :

FQPF5N60C

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

FQPF5N60C Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	15 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	33 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	46 ns
Transconductance directe - min.:	4.7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	42 ns
Série:	FQPF5N60C
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	FQPF5N60C_NL
Poids de l''unité:	2 g