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FQPF70N10

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N° Mouser :

512-FQPF70N10

N° de fab. :

FQPF70N10

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 100V N-Channel QFET

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

FQPF70N10 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	110 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	QFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	160 ns
Transconductance directe - min.:	38 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	470 ns
Série:	FQPF70N10
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Raccourcis pour l'article N°:	FQPF70N10_NL
Poids de l''unité:	2 g