NCV8415STT1G

onsemi
863-NCV8415STT1G
NCV8415STT1G

Fab. :

Description :
MOSFET SELF-PROTECTED LS DRIVER

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 664

Stock:
2 664 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
0,80 € 0,80 €
0,471 € 4,71 €
0,412 € 41,20 €
0,389 € 194,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
0,37 € 370,00 €
0,369 € 738,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT223-4
N-Channel
1 Channel
46 V
1 A
185 mOhms
- 14 V, 14 V
1.6 V
- 40 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Temps de descente: 29 us
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 9 us
Série: NCV8415
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 70 us
Délai d'activation standard: 13 us
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
République tchèque
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pilotes MOSFET côté bas auto-protégés NCV8415

Les pilotes MOSFET côté bas auto-protégés NCV8415 d'onsemi sont des FET discrets, intelligents, protégés et à trois bornes adaptés aux environnements automobiles difficiles. Les composants NCV8415 offrent des caractéristiques de protection, notamment une coupure thermique Delta, une protection contre les surintensité, la surchauffe, les DES et un verrouillage drain-grille intégré pour une protection contre les surtensions. L'indication de défaut est disponible via la broche de grille.