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NTHL080N120SC1A

Name: onsemi NTHL080N120SC1A
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL080N120SC1A
Price: 11.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL080N120SC1A

N° de fab. :

NTHL080N120SC1A

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Fiche technique:

NTHL080N120SC1A Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	11,90 €	11,90 €
	7,20 €	72,00 €
	6,97 €	836,40 €
	6,79 €	3 462,90 €
	6,33 €	6 456,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	178 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	NTHL080N120SC1A
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	6 g