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NTHL110N65S3F

Name: onsemi NTHL110N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL110N65S3F
Price: 7.72 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL110N65S3F

N° de fab. :

NTHL110N65S3F

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET3 650V

Fiche technique:

NTHL110N65S3F Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,72 €	7,72 €
	4,52 €	45,20 €
	3,93 €	471,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	58 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	240 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Transconductance directe - min.:	17 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	32 ns
Série:	SuperFET3
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	61 ns
Délai d'activation standard:	29 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

NTHL110N65S3F Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.