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NTHL160N120SC1

Name: onsemi NTHL160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL160N120SC1
Price: 8.69 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL160N120SC1

N° de fab. :

NTHL160N120SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

Fiche technique:

NTHL160N120SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	8,69 €	8,69 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	224 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	119 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	3 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	19 ns
Série:	NTHL160N120SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NTHL160N120SC1 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V

Les MOSFET 1 200 V EliteSiC (carbure de silicium) onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Ces MOSFET présentent une faible résistance à l'état passant qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les MOSFET EliteSiC 1 200 V offrent des avantages au système et comprennent une haute efficacité, une fréquence d'exploitation rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Ces MOSFET disposent d'une tension de blocage, d'une commutation à haute vitesse, d'une faible capacité et fonctionnent sur une plage de température de -55°C à 175°C. Les MOSFET SiC 1 200 V sont homologués AEC-Q101 pour l'automobile et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux onduleurs élévateurs, stations de chargement, onduleurs CC-CC, convertisseurs CC-CC, chargeurs embarqués (OBC), contrôles de moteur, alimentations industrielles et alimentations de serveurs.

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Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

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