Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NVH4L080N120SC1

Name: onsemi NVH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L080N120SC1
Price: 10.95 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVH4L080N120SC1

N° de fab. :

NVH4L080N120SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

Fiche technique:

NVH4L080N120SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVH4L080N120SC1

En stock: 689

Stock:: 689 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,95 €	10,95 €
	6,58 €	65,80 €
	6,57 €	788,40 €
	6,08 €	3 100,80 €
	5,68 €	5 793,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	170 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5.4 ns
Transconductance directe - min.:	11.3 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	4.2 ns
Série:	NVH4L080N120SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26.8 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	6 g