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NVHL080N120SC1

Name: onsemi NVHL080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL080N120SC1
Price: 13.83 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVHL080N120SC1

N° de fab. :

NVHL080N120SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVHL080N120SC1 Fiche technique

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	13,83 €	13,83 €
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	9,43 €	1 131,60 €
	9,00 €	4 590,00 €
	8,99 €	9 169,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	178 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	NVHL080N120SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

NVHL080N120SC1 Fiche technique

PCN

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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