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NVMFD5C470NLWFET1G

Name: onsemi NVMFD5C470NLWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFD5C470NLWFET1G
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-MFD5C470NLWFET1G

N° de fab. :

NVMFD5C470NLWFET1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V LL S08FL DS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFD5C470NLWFET1G Fiche technique

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Tarif est.:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,35 €	1,35 €
	0,851 €	8,51 €
	0,566 €	56,60 €
	0,443 €	221,50 €
	0,359 €	359,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,335 €	502,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	46 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	36 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	9.3 ns

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Fiche technique

NVMFD5C470NLWFET1G Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.