NVMFS4C05NT1G

onsemi
863-NVMFS4C05NT1G
NVMFS4C05NT1G

Fab. :

Description :
MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
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En stock: 1 113

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,39 € 2,39 €
1,54 € 15,40 €
1,06 € 106,00 €
0,851 € 425,50 €
0,741 € 741,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
0,741 € 1 111,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
30 V
116 A
3.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
3.61 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: US
Pays d'origine: MY
Type de produit: MOSFETs
Série: NVMFS4C05N
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 750 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.