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NVMFS4C306NET1G

Name: onsemi NVMFS4C306NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C306NET1G
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS4C306NET1G

N° de fab. :

NVMFS4C306NET1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET TRENCH 30V NCH

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFS4C306NET1G Fiche technique (PDF)

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	0,294 €	441,00 €
	0,267 €	801,00 €
	0,255 €	2 295,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	71 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	26 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	8 ns

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Fiche technique

NVMFS4C306NET1G Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

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Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.