NVMFS5C426NAFT1G-YE

onsemi
863-MFS5C426NAFT1GYE
NVMFS5C426NAFT1G-YE

Fab. :

Description :
MOSFET T6-D3F 40V NFET

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 951

Stock:
951 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
50 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,20 € 2,20 €
1,39 € 13,90 €
0,946 € 94,60 €
0,762 € 381,00 €
0,665 € 665,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
0,623 € 934,50 €
0,609 € 1 827,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
235 A
1.3 mOhms
20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
128 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 47 ns
Série: NVMFS5C426N
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 36 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
Japon
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.