Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-S5C426NWFAFT1GTK

N° de fab. :

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6-D3F 40V NFET

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

Obtenez un devis afin de vérifier la tarification actuelle, le délai de disponibilité et les exigences de commande du fabricant.

Fiche technique:

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVMFS5C426NWFAFT1G-TK

Disponibilité

Stock:: Indisponible

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Prix (EUR)

Demander un devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	235 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	128 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	47 ns
Série:	NVMFS5C426N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.