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NVMFS5C430NET1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C430NET1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-MFS5C430NET1G-YE
Price: 0.49 EUR
Availability: Discontinued

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-MFS5C430NET1G-YE

N° de fab. :

NVMFS5C430NET1G-YE

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVMFS5C430NET1G-YE Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	185 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	47 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	106 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	130 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	48 ns
Série:	NVMFS5C430N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	13 ns