Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NVMFS5C604NT1G

Name: onsemi NVMFS5C604NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C604NT1G
Price: 8.57 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVMFS5C604NT1G

N° de fab. :

NVMFS5C604NT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

Fiche technique:

NVMFS5C604NT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVMFS5C604NT1G

En stock: 324

Stock:: 324 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 50 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,57 €	8,57 €
	5,93 €	59,30 €
	4,45 €	445,00 €
	4,16 €	4 160,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	4,16 €	6 240,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	288 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	80 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	51 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	76 ns
Série:	NVMFS5C604N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	51 ns
Délai d'activation standard:	16 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVMFS5C604NT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5C604N

Le MOSFET de puissance à canal N simple NVMFS5C604N d’onsemi dispose d'un courant de drain continu de 288 A, d'une résistance R_RS(ON) de 1,2 mΩ à 10 V et d'une tension drain-source de 60 V. Le NVMFS5C604N est disponible dans un boîtier plat de 5 mm x 6 mm, développé pour des conceptions compactes et efficaces. Le MOSFET homologué AEC-Q101 d'onsemi est compatible PHPP et idéal pour les applications automobiles.