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NVMFS5H610NLWFT1G

Name: onsemi NVMFS5H610NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS5H610NLWFT1G
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VMFS5H610NLWFT1G

N° de fab. :

NVMFS5H610NLWFT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 60V LOW COSS

Fiche technique:

NVMFS5H610NLWFT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	0,455 €	227,50 €
	0,369 €	369,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,347 €	520,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVMFS5H610NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVMFS5H610NLWFT1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).