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NVMFS6D1N08HT1G

Name: onsemi NVMFS6D1N08HT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6D1N08HT1G
Price: 1.87 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS6D1N08HT1G

N° de fab. :

NVMFS6D1N08HT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI

Fiche technique:

NVMFS6D1N08HT1G Fiche technique

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	1,87 €	1,87 €
	1,20 €	12,00 €
	0,808 €	80,80 €
	0,642 €	321,00 €
	0,525 €	525,00 €
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	0,487 €	730,50 €
	0,485 €	4 365,00 €
	0,481 €	11 544,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	89 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	39 ns
Transconductance directe - min.:	80 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	50 ns
Série:	NVMFS6D1N08H
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	750 mg

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Fiche technique

NVMFS6D1N08HT1G Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).