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NVMFWD016N06CT1G

Name: onsemi NVMFWD016N06CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFWD016N06CT1G
Price: 2.92 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NVMFWD016N06CT1G

N° de fab. :

NVMFWD016N06CT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Fiche technique:

NVMFWD016N06CT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	0,98 €	1 470,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVMFD016N06C
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	161,193 mg

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.