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NVMFWD040N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWD040N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWD040N10MCLT1G
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-MFWD040N10MCLT1G

N° de fab. :

NVMFWD040N10MCLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFWD040N10MCLT1G Fiche technique (PDF)

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	0,483 €	483,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	21 A
Rds On - Résistance drain-source:	39 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.7 ns
Série:	NVMFD040N10MCL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	6 ns

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Fiche technique

NVMFWD040N10MCLT1G Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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