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NVMFWS2D1N08XT1G

Name: onsemi NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFWS2D1N08XT1G
Price: 3.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFWS2D1N08XT1G

N° de fab. :

NVMFWS2D1N08XT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFWS2D1N08XT1G Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	181 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	53 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	148 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	135 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	NVMFS2D1N08X
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	26 ns

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Fiche technique

NVMFWS2D1N08XT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse R_DS(ON), d’une Q_G et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.