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NVMFWS2D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS2D3N04XMT1G
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VMFWS2D3N04XMT1G

N° de fab. :

NVMFWS2D3N04XMT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Fiche technique:

NVMFWS2D3N04XMT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,81 €	1,81 €
	1,15 €	11,50 €
	0,777 €	77,70 €
	0,632 €	316,00 €
	0,616 €	616,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,529 €	793,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	121 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	22.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	63 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.2 ns
Transconductance directe - min.:	89.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.1 ns
Série:	NVMFWS2D3N04XM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	23.4 ns
Délai d'activation standard:	15.2 ns

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Fiche technique

NVMFWS2D3N04XMT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse R_DS(ON), d’une Q_G et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.