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NVMFWS3D6N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFWS3D6N10MCLT
Price: 4.24 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NVMFWS3D6N10MCLT

N° de fab. :

NVMFWS3D6N10MCLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET

Fiche technique:

NVMFWS3D6N10MCLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,24 €	4,24 €
	2,80 €	28,00 €
	2,29 €	229,00 €
	1,82 €	910,00 €
	1,62 €	1 620,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,62 €	2 430,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	132 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVMFS3D6N10MCL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVMFWS3D6N10MCLT1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS3D6N10MCL

Le MOSFET de puissance à canal N NVMFS3D6N10MCL onsemi est conçu pour des conceptions compactes et efficaces avec des performances thermiques élevées. Ce MOSFET dispose d'une faible résistance drain-source (R_DS(on)) pour minimiser les pertes en conduction, une Q_Get une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilotes. Le MOSFET NVMFS3D6N10MCL est certifié AEC-Q101 et compatible PHPP. Ce MOSFET onsemi est fourni dans un petit boîtier DFN5 à fil plat avec des dimensions de 5 mm x 6 mm. Les applications typiques comprennent les systèmes 48 V, les alimentations à commutation, les commutateurs d'alimentation (pilote côté haut, pilote côté bas et ponts en H) et la protection d'inversion de la batterie.