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NVTFS020N06CTAG

Name: onsemi NVTFS020N06CTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS020N06CTAG
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVTFS020N06CTAG

N° de fab. :

NVTFS020N06CTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Fiche technique:

NVTFS020N06CTAG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,46 €	1,46 €
	0,929 €	9,29 €
	0,62 €	62,00 €
	0,488 €	244,00 €
	0,425 €	425,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,411 €	616,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	27 A
Rds On - Résistance drain-source:	20.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	5.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	31 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVTFS020N06C
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVTFS020N06CTAG Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.