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C3M0021120D

Name: Wolfspeed C3M0021120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0021120D
Price: 15.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-C3M0021120D

N° de fab. :

C3M0021120D

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

Fiche technique:

C3M0021120D Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	15,47 €	15,47 €
	13,37 €	133,70 €
2 520	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	28.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	160 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	469 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	35 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	27 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	72 ns
Délai d'activation standard:	142 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

C3M0021120D Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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