C3M0060065K

Wolfspeed
941-C3M0060065K
C3M0060065K

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 409

Stock:
409 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
11 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,91 € 7,91 €
5,46 € 54,60 €
4,74 € 568,80 €
3,59 € 1 830,90 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Wolfspeed
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
37 A
60 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
46 nC
- 40 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Marque: Wolfspeed
Configuration: Single
Temps de descente: 5 ns
Transconductance directe - min.: 10 S
Conditionnement: Tube
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 11 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 17 ns
Délai d'activation standard: 8 ns
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

MOSFET de puissance au carbure de silicium 650 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 650 V de Wolfspeed offrent de faibles résistances à l'état passant et pertes de commutation pour un rendement et une densité de puissance maximaux. Les MOSFET 650 V sont optimisés pour les applications électroniques de haute performance, notamment les alimentations de serveurs, les systèmes de charge de véhicules électriques, les systèmes de stockage d'énergie, les onduleurs solaires (PV), les alimentations sans interruption et les systèmes de gestion de batterie. Par rapport au silicium, les MOSFET au carbure de silicium 650 V de Wolfspeed permettent de réduire les pertes de commutation de 75 % et les pertes de conduction de ½ avec une densité de puissance 3 fois plus élevée.