DIF120SIC022

Diotec Semiconductor
637-DIF120SIC022
DIF120SIC022

Fab. :

Description :
SiC MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C

Cycle de vie:
Nouveau produit:
Nouveau chez ce fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 438

Stock:
438 Expédition possible immédiatement
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
68,41 € 68,41 €
53,48 € 534,80 €
32,08 € 3 849,60 €
510 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diotec Semiconductor
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
120 A
22.3 mOhms
- 4 V, + 18 V
4 V
269 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
DIF120SIC022
Marque: Diotec Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 35 ns
Transconductance directe - min.: 41.5 S
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 38 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 108 ns
Délai d'activation standard: 150 ns
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.