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IGL65R080D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R080D2XUMA1
Price: 4.41 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IGL65R080D2XUMA1

N° de fab. :

IGL65R080D2XUMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IGL65R080D2XUMA1 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,41 €	4,41 €
	3,16 €	31,60 €
	2,27 €	227,00 €
	2,20 €	1 100,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,87 €	5 610,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	HEMT
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.6 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	81 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolGaN
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	GaN FETs
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	CoolGaN G5
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	Si
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IGL65R080D2 SP006065174

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Les transistors G5 CoolGaN™ de 650 V d’Infineon Technologies présentent une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie. La famille G5 de 650 V répond aux défis des applications industrielles, solaires, grand public et des centres de données. Les transistors offrent une efficacité et une densité de puissance améliorées du système avec une capacité de commutation ultra-rapide. La technologie CoolGaN fournit des solutions discrètes et intégrées conçues pour améliorer les performances globales du système. Les transistors G5 CoolGaN de 650 V d’Infineon Technologies permettent des fréquences de fonctionnement élevées et réduisent les valeurs EMI. Les transistors sont idéaux pour la distribution d’énergie, les alimentations électriques à découpage (SMPS), les télécommunications et d’autres applications industrielles.