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IMBG65R057M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R057M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R057M1HXTM
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMBG65R057M1HXTM

N° de fab. :

IMBG65R057M1HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Fiche technique:

IMBG65R057M1HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	6,85 €	6,85 €
	4,66 €	46,60 €
	3,59 €	359,00 €
	3,58 €	1 790,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	3,35 €	3 350,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	39 A
Rds On - Résistance drain-source:	74 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.7 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	161 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	AT
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	CoolSiC 650V
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Raccourcis pour l'article N°:	IMBG65R057M1H SP005539175

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 650 V

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