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IXSA110N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA110N65L2-7TR
Price: 9.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXSA110N65L2-7TR

N° de fab. :

IXSA110N65L2-7TR

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSA110N65L2-7TR Fiche technique (PDF)

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,56 €	9,56 €
	7,30 €	73,00 €
	6,09 €	609,00 €
	5,31 €	2 655,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	4,60 €	3 680,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	111 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	125 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	600 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	11.5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	23.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35.1 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (I_D) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (V_DSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).