IXSH100N65L2KHV

IXYS
747-IXSH100N65L2KHV
IXSH100N65L2KHV

Fab. :

Description :
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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IXYS
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
33 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
454 W
Enhancement
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 11.7 ns
Conditionnement: Tube
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 26.5 ns
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 23.2 ns
Délai d'activation standard: 12.9 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (ID) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (VDSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).