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IXSH40N65L2KHV

Name: IXYS IXSH40N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH40N65L2KHV
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXSH40N65L2KHV

N° de fab. :

IXSH40N65L2KHV

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSH40N65L2KHV Fiche technique (PDF)

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	6,46 €	6,46 €
	4,56 €	45,60 €
	3,80 €	380,00 €
	3,38 €	1 521,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	43 A
Rds On - Résistance drain-source:	78 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	174 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	12.7 ns
Série:	IXSxNxL2Kx
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22.6 ns
Délai d'activation standard:	5.3 ns

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Fiche technique

IXSH40N65L2KHV Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (I_D) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (V_DSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).