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IXXH80N65B4

Name: IXYS IXXH80N65B4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXXH80N65B4
Price: 7.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXXH80N65B4

N° de fab. :

IXXH80N65B4

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Fiche technique:

IXXH80N65B4 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

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	7,01 €	7,01 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247AD-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.1 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	160 A
Pd - Dissipation d’énergie :	625 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trench
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	XPT
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

IXXH80N65B4 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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