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NSF040120L4A1Q

Name: Nexperia NSF040120L4A1Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF040120L4A1Q
Price: 9.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-NSF040120L4A1Q

N° de fab. :

NSF040120L4A1Q

Fab. :

Nexperia

Description :

SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NSF040120L4A1Q Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 30)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,11 €	9,11 €
	6,33 €	63,30 €
	4,92 €	492,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 30)
	6,33 €	189,90 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	53 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.9 V
Qg - Charge de grille:	81 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	234 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	Si
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934668741127 934670000000

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Fiche technique

NSF040120L4A1Q Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC 1 200 V

Les MOSFET au carbure de silicium (SIC) 1200 V NexperStrip sont logés dans TO-247-3 à 3 broches et TO-247-4 à 4 broches pour un montage PCB traversant. Les MOSFET Nexperia sont idéaux pour les applications industrielles à haute puissance et haute tension grâce à une excellente stabilité de la température et une vitesse de commutation rapide. Ces applications comprennent les infrastructures de charge de véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les entraînements de moteurs.