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NTH4L016N065M3S

Name: onsemi NTH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L016N065M3S
Price: 13.84 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L016N065M3S

N° de fab. :

NTH4L016N065M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL

Cycle de vie:

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Fiche technique:

NTH4L016N065M3S Fiche technique (PDF)

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25 020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	71 A
Rds On - Résistance drain-source:	23.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	100 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	45 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	NTH4L016N065M3S
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	6.5 ns

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