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NVH4L016N065M3S

Name: onsemi NVH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L016N065M3S
Price: 13.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVH4L016N065M3S

N° de fab. :

NVH4L016N065M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVH4L016N065M3S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	71 A
Rds On - Résistance drain-source:	23.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	100 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	45 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	NVH4L016N065M3S
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	6.5 ns

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Fiche technique

NVH4L016N065M3S Fiche technique

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V

Les MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 650 V onsemi utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. De plus, la faible résistance à l’état passant et la taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le rendement le plus élevé, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Le boîtier TOLL onsemi offre des performances thermiques améliorées et d’excellentes performances de commutation grâce à la configuration de la source Kelvin et à une inductance de source parasite plus faible. TOLL offre un niveau de sensibilité à l'humidité 1 (MSL 1).