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PMH950UPEH

Name: Nexperia PMH950UPEH
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMH950UPEH
Price: 0.3 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PMH950UPEH

N° de fab. :

PMH950UPEH

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT8001 P-CH 20V .53A

Fiche technique:

PMH950UPEH Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Stock:: 0

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Sur commande:: 9 805

20/08/2026 attendu

10 000

04/01/2027 attendu
Délai usine :: 12

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,301 €	0,30 €
	0,206 €	2,06 €
	0,132 €	6,60 €
	0,131 €	13,10 €
	0,08 €	80,00 €
	0,062 €	155,00 €
	0,055 €	275,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,055 €	550,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-0606-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	530 mA
Rds On - Résistance drain-source:	1.4 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	950 mV
Qg - Charge de grille:	290 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	700 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	4 ns
Délai d'activation standard:	1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934660494125
Poids de l''unité:	9 mg

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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

MOSFET à tranchée DFN0606

Les MOSFET à tranchée DFN0606 Nexperia sont conçus pour utiliser la technologie MOSFET à tranchée pour fournir une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ces MOSFET Nexperia disposent d’une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) et sont disponibles en boîtier plastique à montage en surface (CMS) ultra-compact DFN0606-3 (SOT8001) sans fil. Les applications standard incluent les téléphones mobiles, les dispositifs portables et portables, les accessoires de téléphones mobiles, les casques, les écouteurs et les prothèses auditives.