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SCT4026DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DEC11
Price: 17.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4026DEC11

N° de fab. :

SCT4026DEC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4026DEC11 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	17,04 €	17,04 €
	10,66 €	106,60 €
	10,63 €	1 063,00 €
	10,61 €	4 774,50 €
	10,60 €	9 540,00 €
10 350	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247N-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	56 A
Rds On - Résistance drain-source:	26 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	94 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 nC
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	39 nC
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4026DE

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Fiche technique

SCT4026DEC11 Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [R_DS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (I_D) et de source (I_S) (T_C=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.