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SI7892BDP-T1-GE3

Name: Vishay SI7892BDP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7892BDP-T1-GE3
Price: 2.6 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

781-SI7892BDP-T1-GE3

N° de fab. :

SI7892BDP-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

Fiche technique:

SI7892BDP-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,60 €	2,60 €
	1,68 €	16,80 €
	1,20 €	120,00 €
	1,08 €	540,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,92 €	2 760,00 €
	0,903 €	8 127,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	27 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.8 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	85 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Série:	SI7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N Channel
Délai de désactivation type:	62 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SI7892BDP-GE3
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SI7892BDP-T1-GE3 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N (D-S) SI78

Les MOSFET à canal N (DS) SI78 de Vishay semiconducteurs sont disponibles dans un nouveau boîtier PowerPAK^® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm bas. Ces MOSFET N-Channel (DS) sont MLI optimisés, 100 % testés R_g, sans halogène et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET SI78 sont utilisés dans les convertisseurs CC-CC, les commutateurs côté primaire pour les applications CC-CC et les redresseurs synchrones.