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TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 747.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-TGF2929-FL

N° de fab. :

TGF2929-FL

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Fiche technique:

TGF2929-FL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	NI-360
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	28 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2.9 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	144 W
Marque:	Qorvo
Fréquence de fonctionnement max.:	3.5 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	100 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	TGF2929
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Type:	RF Power MOSFET
Raccourcis pour l'article N°:	TGF2929 1123811
Poids de l''unité:	64,190 g

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Fiche technique

TGF2929-FL Fiche technique (PDF)

PCN

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

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Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.