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UF3C170400B7S

Name: onsemi UF3C170400B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C170400B7S
Price: 9.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UF3C170400B7S

N° de fab. :

UF3C170400B7S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

Fiche technique:

UF3C170400B7S Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,09 €	9,09 €
	6,31 €	63,10 €
	5,25 €	525,00 €
	5,06 €	2 530,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	4,90 €	3 920,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	7.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	410 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	23.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	27.5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	16 ns
Série:	UF3C
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	102 ns
Délai d'activation standard:	43 ns

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Fiche technique

UF3C170400B7S Fiche technique

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

FET SiC UF3C en boîtier D2-PAK

Les SiC FET UF3C de Qorvo en boîtiers D2-PAK-3L et D2-PAK-7L à montage en surface sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. Dans la configuration de circuit cascode, un JFET SiC normalement activé est co-emballé avec un MOSFET Si pour produire un dispositif SiC FET normalement éteint. Ces FET SiC offrent une diode à faible corps, une faible charge de grille et une tension de seuil de 4,8 V qui permet de piloter de 0 V à 15 V. Ces composants SiC FET D2-PAK sont protégés contre les DES et fournissent une ligne de fuite du boîtier et une distance de dégagement de >6,1 mm. Les caractéristiques standard du pilote de grille du FET sont des remplacements directs pour les IGBT Si, le FET Si, les MOSFET SiC ou la super-jonction Si. Ils sont disponibles pour des variantes de tension de claquage drain-source de 1 200 V et 650 V et sont idéaux pour une utilisation pour les environnements contrôlés tels que l’alimentation des télécommunications et des serveurs, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.