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UF3SC065007K4S

Name: onsemi UF3SC065007K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065007K4S
Price: 62.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UF3SC065007K4S

N° de fab. :

UF3SC065007K4S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4

Fiche technique:

UF3SC065007K4S Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	214 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	789 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	46 ns
Série:	UF3SC
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	72 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

UF3SC065007K4S Fiche technique

Models

UF3SC065007K4S SPICE (Texte)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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